| Marque | Infineon |
| Produit | FP75R12KT4 |
| Description | Module de silicium IGBT |
| Code intérieur | IMP4672783 |
| Spécifications techniques | Configuration : triphasé Tension collecteur-émetteur VCEO max. : 1200 V Tension de saturation du collecteur-émetteur : 2,25 V Courant collecteur continu à 25 °C : 150 A Courant de fuite grille-émetteur : 100 nA Pd - Puissance dissipée : 385 W |
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