Marque | Infineon |
Produit | FS200R12PT4 |
Description | Transistors |
Code intérieur | FBR5023149 |
Spécifications techniques | Désignation IGBT Pack de six types Avec 1 200 VDC Glace 200 A tension +/- 20 V Glace max. 1 mA Iges Max 0,4 µA Vge (ème) min/max 5,2 à 6,4 V Vce (sat) Max 2,15 V Non RoHS Hauteur (mm) 20,5 mm Largeur (mm) 130 mm Profondeur (mm) 70,6 mm |
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Caractéristiques clés de FS200R12PT4 :
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Power Tristor
semiconducteur
THYRISTOR
Modules à semi-conducteurs pour une utilisation spécifique
MODULE IGBT
Power Factor Correction
Mosfet
BR402 u - correct product - MBR40250G
transistor
Mode de commutation Schottky Puissance redresseur
FF400R12KE3 \ FF400R12KE3HOSA1
Module IGBT
diode puissance
diode puissance
thyristor
Module IGBT
FZ 900 R16KF 428J6 - REFURBISHED
carte de contrôle de l'onduleur
carte d'éval