Vente de produits FP75R12KT4 - Infineon en Switzerland

Marque	Infineon
Produit	FP75R12KT4
Description	Module de silicium IGBT
Code intérieur	FBR4672783
Spécifications techniques	Configuration : triphasé Tension collecteur-émetteur VCEO max. : 1200 V Tension de saturation du collecteur-émetteur : 2,25 V Courant collecteur continu à 25 °C : 150 A Courant de fuite grille-émetteur : 100 nA Pd - Puissance dissipée : 385 W

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